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1 稳定性较好。
碳化硅在HCl、H2SO4和HF中煮沸也不受侵蚀。
SiC同硅酸在高温下也不发生反应,故具有抵抗酸性熔渣的良好性能。
SiC同石灰在525度开始反应,在1000度附近反应显著,
与氧化铜的反应在800度已强烈进行。。同氧化铁在1000-1200度,
进行反应,到1300度已明显崩裂反应。同氧化锰反应从1360度起到崩裂反应。
SiC在氯气中,从600度开始与之反应,到1200度可使其分解为SiCl4和CCl4。
熔融碱在炽热下可使SiC分解。
2 抗氧化性较好
碳化硅在常温下,抗氧化性很好,在合成SiC时残留的Si、
C及氧化铁对SiC的氧化程度有影响。
在普通氧化气氛下纯SiC可在高达1500度的温度下安全使用,
而含有部分杂质的碳化硅,在1220度会发生氧化。
3 抗热震性较好。
由于碳化硅不熔化和分解出蒸气的温度很高,
并具有很高的导热性和低的热膨胀性,从而具有好的抗热震性。